ICCGE-19, Poster Award
（第19回結晶成長およびエピタキシーに関する国際会議　ポスター賞）

Precipitation of multilayer graphene directly on gallium nitride template using W capping layer
（Wキャップ層を用いた窒化ガリウムテンプレート基板上への多層グラフェンの直接析出成長）

2019年7月28日から8月2日、米国コロラド州キーストンで開催された国際会議 the 19th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-19)でのポスター発表においてPoster Awardを受賞しました。ICCGEは結晶成長に関する世界最高峰の国際会議であり、そこでのポスター賞の受賞は非常に光栄なことでした。
私たちが取り組むグラフェンの直接成長技術の開発は、グラフェンの工業的な利用に向けた重要な研究課題です。本発表では、窒化ガリウム上へのグラフェン透明電極の直接成長を試みました。その結果、窒化ガリウム系青色LED上へ多層グラフェン透明電極の形成に成功し、良好な青色の発光を観察できました。